仇鑫灿，女，博士，讲师，中共党员。博士毕业于湖南大学物理与微电子科学学院，获工学博士学位（电子科学与技术专业）。
主要研究方向为新型半导体光电子器件的制备与器件优化机理研究，包括金属卤化物钙钛矿薄膜晶体管、有机半导体薄膜晶体管、金属卤化物钙钛矿太阳能电池等。目前以第一作者发表学术论文6篇，其中SCI论文5篇，并参与申请中国专利4项。
主要研究成果：
(1) Xincan Qiu; Jiangnan Xia; Yu Liu; Ping‐An Chen; Lanyu Huang; Huan Wei; Jiaqi Ding; Zhenqi Gong; Xi Zeng; Chengyuan Peng; Chen Chen; Xiao Wang; Lang Jiang; Lei Liao; Yuanyuan Hu; Ambient‐Stable 2D Dion–Jacobson Phase Tin Halide Perovskite Field‐Effect Transistors with Mobility over 1.6 Cm2V−1s−1, Advanced Materials, 2023, 35(44): 2305648.
(2) Xincan Qiu; Yu Liu; Jiangnan Xia; Jing Guo; Ping-An Chen; Huan Wei; Jing Guo; Xiaosong Shi; Chen Chen; Zebing Zeng; Huipeng Chen; Lang Jiang; Lei Liao; Yuanyuan Hu; Room temperature two-dimensional lead halide perovskite thin-film transistors with high stability, Cell Reports Physical Science, 2023, 4(1): 101217.
(3) Xincan Qiu; Yu Liu; Jiangnan Xia; Jing Guo; Ping-An Chen; Huan Wei; Yuanyuan Hu; Protocol for fabrication and characterization of two-dimensional lead halide perovskite thin-film transistors, STAR Protocols, 2023, 4(2): 102235.
(4) Xincan Qiu; Jing Guo; Ping‐An Chen; Kaixuan Chen; Yu Liu; Chao Ma; Huajie Chen; Yuanyuan Hu; Doped Vertical Organic Field‐Effect Transistors Demonstrating Superior Bias‐Stress Stability, Small, 2021, 17(32): 2101325.
(5) Xincan Qiu; Yu Liu; Wenwu Li; Yuanyuan Hu; Traps in metal halide perovskites: characterization and passivation, Nanoscale, 2020, 12(44): 22425-22451.
(6)胡袁源；仇鑫灿；一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，2023-08-02，中国，CN202310966444.X。
(7)胡袁源；郭景；仇鑫灿；陈卓俊；一种有机铵盐p型掺杂剂，2022-11-01，中国，CN202110017402.2。
(8)胡袁源；夏江南；仇鑫灿；一种透明钙钛矿薄膜晶体管，2022-04-12，中国，CN202210376487.8。
(9)胡袁源；仇鑫灿；夏江南；一种钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，2022-01-17，中国，CN202210047627.7。
